STS9P2UH7
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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 1V @ 250µA
- Vgs（最大）
- ±8V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-SO
- シリーズ
- STripFET™
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
- 電力消費（最大）
- 2.7W (Tc)
- パッケージング
- Tape & Reel (TR)
- パッケージ/ケース
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 他の名前
- 497-15155-2
- 運転温度
- 150°C (TJ)
- 装着タイプ
- Surface Mount
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 2390pF @ 16V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 22nC @ 4.5V
- FETタイプ
- P-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 1.5V, 4.5V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 20V
- 詳細な説明
- P-Channel 20V 9A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 9A (Tc)
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