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プロダクト

  1. 集積回路 (ic)

    集積回路 (ic)

  2. ディスクリート半導体製品
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  4. rf/if/rfid
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  6. センサ、トランスデューサ

    センサ、トランスデューサ

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  9. アイソレータ
  10. インダクタ、コイル、チョーク
  11. コネクタ、インターコネクト

    コネクタ、インターコネクト

  12. 回路保護
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STW25N60M2-EP
STMicroelectronics

STW25N60M2-EP

STMicroelectronics

    希望価格

    STW25N60M2-EPが利用可能です。STW25N60M2-EPを提供し、見積もり依頼フォームを使用してSTW25N60M2-EPの数量とリードタイムを依頼できます。Atosn.comはプロの電子部品販売業者です。在庫が多く、短納期でお届けできます。今すぐお問い合わせください。販売担当者が部品番号STW25N60M2-EPの価格と出荷の詳細をお知らせします。お住まいの国に合わせた通関の問題を含みます。と技術チーム、私たちはあなたと一緒に働くことを楽しみにしています。


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    製品仕様

    同上@ VGS(TH)(最大)
    4.75V @ 250µA
    Vgs(最大)
    ±25V
    技術
    MOSFET (Metal Oxide)
    サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247
    シリーズ
    MDmesh™ M2-EP
    同上、Vgsは@ RDSで、(最大)
    188 mOhm @ 9A, 10V
    電力消費(最大)
    150W (Tc)
    パッケージング
    Tube
    パッケージ/ケース
    TO-247-3
    運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    装着タイプ
    Through Hole
    水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
    メーカーの標準リードタイム
    42 Weeks
    鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
    入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
    1090pF @ 100V
    ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs
    29nC @ 10V
    FETタイプ
    N-Channel
    FET特長
    -
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
    10V
    ソース電圧(VDSS)にドレイン
    600V
    詳細な説明
    N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
    電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
    18A (Tc)

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