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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 4V @ 250µA
- Vgs（最大）
- ±20V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-39
- シリーズ
- -
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 800 mOhm @ 2.25A, 10V
- 電力消費（最大）
- 800mW (Tc)
- パッケージング
- Bulk
- パッケージ/ケース
- TO-205AF Metal Can
- 運転温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Contains lead / RoHS non-compliant
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 14.3nC @ 10V
- FETタイプ
- N-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 10V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 200V
- 詳細な説明
- N-Channel 200V 3.5A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 3.5A (Tc)
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