CSD25213W10
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
鉛フリー/ RoHS準拠
希望価格
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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 1.1V @ 250µA
- Vgs（最大）
- -6V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- 4-DSBGA (1x1)
- シリーズ
- NexFET™
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 47 mOhm @ 1A, 4.5V
- 電力消費（最大）
- 1W (Ta)
- パッケージング
- Cut Tape (CT)
- パッケージ/ケース
- 4-UFBGA, DSBGA
- 他の名前
- 296-40004-1
- 運転温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 装着タイプ
- Surface Mount
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- メーカーの標準リードタイム
- 35 Weeks
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 478pF @ 10V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 2.9nC @ 4.5V
- FETタイプ
- P-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 2.5V, 4.5V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 20V
- 詳細な説明
- P-Channel 20V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 1.6A (Ta)
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