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製品仕様
- 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
- 50V
- IB、IC @ Vce飽和（最大）
- 300mV @ 10mA, 100mA
- トランジスタ型式
- NPN
- サプライヤデバイスパッケージ
- NS-B1
- シリーズ
- -
- 電力 - 最大
- 300mW
- パッケージング
- Tape & Box (TB)
- パッケージ/ケース
- NS-B1
- 他の名前
- 2SC3311A-S(TA)
2SC3311ASATB
2SC3311ASTA
2SC3311ASTB
2SC3311ASTB-ND
- 運転温度
- 150°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 周波数 - トランジション
- 150MHz
- 詳細な説明
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
- Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
- 290 @ 2mA, 10V
- 電流 - コレクタ遮断（最大）
- 1µA
- 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
- 100mA
- ベース部品番号
- 2SC3311
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