クイックお問い合わせ
製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 5V @ 1mA
- Vgs（最大）
- ±30V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-247 [B]
- シリーズ
- -
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 1.8 Ohm @ 4A, 10V
- 電力消費（最大）
- 290W (Tc)
- パッケージング
- Tube
- パッケージ/ケース
- TO-247-3
- 他の名前
- APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
- 運転温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- メーカーの標準リードタイム
- 23 Weeks
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1885pF @ 25V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 60nC @ 10V
- FETタイプ
- N-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 10V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 1000V
- 詳細な説明
- N-Channel 1000V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 8A (Tc)
類似したアイテム
- Microsemi APT8M100B
- APT8M100Bデータシート
- APT8M100Bデータシート
- APT8M100Bpdfデータシート
- APT8M100Bデータシートをダウンロード
- APT8M100B画像
- APT8M100Bパート
- Microsemi APT8M100B
- Microsemi Analog Mixed Signal Group APT8M100B
- Microsemi Analog Mixed Signal Group [MIL] APT8M100B
- Microsemi Commercial Components Group APT8M100B
- Microsemi Consumer Medical Product Group APT8M100B
- Microsemi Corporation APT8M100B
- Microsemi HI-REL [MIL] APT8M100B
- Microsemi Power Management Group APT8M100B
- Microsemi Power Products Group APT8M100B
- Microsemi SoC APT8M100B
- Microsemi Solutions Sdn Bhd. APT8M100B