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製品仕様
- 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
- 65V
- トランジスタ型式
- NPN
- サプライヤデバイスパッケージ
- M214
- シリーズ
- -
- 電力 - 最大
- 175W
- パッケージング
- Bulk
- パッケージ/ケース
- M214
- 運転温度
- 200°C (TJ)
- ノイズ指数（F @デシベル標準）
- -
- 装着タイプ
- Chassis Mount
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 利得
- 9dB
- 周波数 - トランジション
- 1.03GHz ~ 1.09GHz
- 詳細な説明
- RF Transistor NPN 65V 5.4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 175W Chassis Mount M214
- Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
- 10 @ 1A, 5V
- 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
- 5.4A
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