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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 5V @ 1mA
- Vgs（最大）
- ±30V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-247 [B]
- シリーズ
- POWER MOS 8™
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 130 mOhm @ 21A, 10V
- 電力消費（最大）
- 625W (Tc)
- パッケージング
- Tube
- パッケージ/ケース
- TO-247-3
- 他の名前
- APT42F50BMP
APT42F50BMP-ND
- 運転温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- メーカーの標準リードタイム
- 21 Weeks
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 6810pF @ 25V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 170nC @ 10V
- FETタイプ
- N-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 10V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 500V
- 詳細な説明
- N-Channel 500V 42A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 42A (Tc)
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