STB7ANM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
鉛フリー/ RoHS準拠
希望価格
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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 4V @ 250mA
- Vgs（最大）
- ±25V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- D2PAK
- シリーズ
- Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 900 mOhm @ 2.5A, 10V
- 電力消費（最大）
- 45W (Tc)
- パッケージング
- Tape & Reel (TR)
- パッケージ/ケース
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 他の名前
- 497-13935-2
STB7ANM60N-ND
- 運転温度
- 150°C (TJ)
- 装着タイプ
- Surface Mount
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- メーカーの標準リードタイム
- 42 Weeks
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 363pF @ 50V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 14nC @ 10V
- FETタイプ
- N-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 10V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 600V
- 詳細な説明
- N-Channel 600V 5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 5A (Tc)
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