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製品仕様
- 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
- 50V
- IB、IC @ Vce飽和（最大）
- 1V @ 50mA, 500mA
- トランジスタ型式
- 4 NPN (Quad)
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-116
- シリーズ
- -
- 電力 - 最大
- 1.5W
- パッケージング
- Bulk
- パッケージ/ケース
- 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- 運転温度
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Contains lead / RoHS non-compliant
- 周波数 - トランジション
- -
- 詳細な説明
- Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
- Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
- 100 @ 150mA, 10V
- 電流 - コレクタ遮断（最大）
- 10µA (ICBO)
- 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
- 800mA
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