STB200NF04-1
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
鉛フリー/ RoHS準拠
希望価格
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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 4V @ 250µA
- Vgs（最大）
- ±20V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- I2PAK
- シリーズ
- STripFET™ II
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 3.7 mOhm @ 90A, 10V
- 電力消費（最大）
- 310W (Tc)
- パッケージング
- Tube
- パッケージ/ケース
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- 他の名前
- 497-3512-5
- 運転温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 5100pF @ 25V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 210nC @ 10V
- FETタイプ
- N-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 10V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 40V
- 詳細な説明
- N-Channel 40V 120A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 120A (Tc)
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