MD2009DFX
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製品仕様
- 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
- 700V
- IB、IC @ Vce飽和（最大）
- 2.8V @ 1.4A, 5.5A
- トランジスタ型式
- NPN
- サプライヤデバイスパッケージ
- ISOWATT-218FX
- シリーズ
- -
- 電力 - 最大
- 58W
- パッケージング
- Tube
- パッケージ/ケース
- ISOWATT218FX
- 運転温度
- 150°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 周波数 - トランジション
- -
- 詳細な説明
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 58W Through Hole ISOWATT-218FX
- Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
- 5 @ 5.5A, 5V
- 電流 - コレクタ遮断（最大）
- 200µA
- 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
- 10A
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