NAND512W3A2CZA6E
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製品仕様
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
- 50ns
- 電源電圧 -
- 2.7 V ~ 3.6 V
- 技術
- FLASH - NAND
- サプライヤデバイスパッケージ
- 63-VFBGA (9x11)
- シリーズ
- -
- パッケージング
- Tray
- パッケージ/ケース
- 63-TFBGA
- 運転温度
- -40°C ~ 85°C (TA)
- 装着タイプ
- Surface Mount
- 水分感受性レベル（MSL）
- 3 (168 Hours)
- メモリタイプ
- Non-Volatile
- 記憶容量
- 512Mb (64M x 8)
- メモリインタフェース
- Parallel
- メモリ形式
- FLASH
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 詳細な説明
- FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11)
- ベース部品番号
- NAND512-A
- アクセス時間
- 50ns
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