SCT50N120
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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 3V @ 1mA
- Vgs（最大）
- +25V, -10V
- 技術
- SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- HiP247™
- シリーズ
- -
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 69 mOhm @ 40A, 20V
- 電力消費（最大）
- 318W (Tc)
- パッケージング
- Tube
- パッケージ/ケース
- TO-247-3
- 他の名前
- 497-16598-5
- 運転温度
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1900pF @ 400V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 122nC @ 20V
- FETタイプ
- N-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 20V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 1200V
- 詳細な説明
- N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 65A (Tc)
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