STB120N4F6
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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 4V @ 250µA
- Vgs（最大）
- ±20V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- D2PAK
- シリーズ
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 4 mOhm @ 40A, 10V
- 電力消費（最大）
- 110W (Tc)
- パッケージング
- Cut Tape (CT)
- パッケージ/ケース
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 他の名前
- 497-10768-1
497-10768-5
497-10768-5-ND
- 運転温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 装着タイプ
- Surface Mount
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 3850pF @ 25V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 65nC @ 10V
- FETタイプ
- N-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 10V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 40V
- 詳細な説明
- N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 80A (Tc)
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