STP190N55LF3
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製品仕様
- 同上@ VGS（TH）（最大）
- 2.5V @ 250µA
- Vgs（最大）
- ±18V
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-220-3
- シリーズ
- STripFET™
- 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
- 3.7 mOhm @ 30A, 10V
- 電力消費（最大）
- 312W (Tc)
- パッケージング
- Tube
- パッケージ/ケース
- TO-220-3
- 他の名前
- 497-8810-5
STP190N55LF3-ND
- 運転温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 装着タイプ
- Through Hole
- 水分感受性レベル（MSL）
- 1 (Unlimited)
- メーカーの標準リードタイム
- 38 Weeks
- 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
- Lead free / RoHS Compliant
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 6200pF @ 25V
- ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
- 80nC @ 5V
- FETタイプ
- N-Channel
- FET特長
- -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
- 5V, 10V
- ソース電圧（VDSS）にドレイン
- 55V
- 詳細な説明
- N-Channel 55V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220-3
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 120A (Tc)
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